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联轴器膜片损耗的因素分析
- 2019-07-29-

       对一台确定的联轴器膜片设备,其外转子的转速、磁极对数,尺寸已确认,那么阻隔套的直径、轴向有效长度以及场量的角频率也就确认了。因此在这里我么要分析阻隔套的电导率、磁导率及厚度对磁场和涡流损耗的影响。
  (1)阻隔套的电导率γ越大,厚度ε值越大,那么阻隔套的电阻就越小,阻隔套的涡流也越大,此时涡流对磁场的影响则较大。另一方面,如阻隔套厚度增大,它与内外转子的间隙将减小,则联轴器膜片的加工精度要求高,这种高精度的加工往往很难以得到满足,通常不得不通过增大内外转子间的间隙来处理,而这将导致气隙磁阻增大,气隙磁场减小。
  (2)不同资料的磁导率相差可高达数千倍,如选用高磁导率资料作为阻隔套的资料时,外转子永磁体宣布的磁通大部分将直接由阻隔套返回到外转子,而联轴器膜片内转子外表取得的磁公例较少,这种现象在电磁学上被称为磁屏蔽。阻隔套的磁导率越大,则磁屏蔽越严峻,内转子外表取得的磁场就越小。
  (3)由式(15)的涡流损耗计算公式可以看出,联轴器膜片的涡流损耗Pwo与阻隔套的厚度ε之间存在一种指数联系,即阻隔套的厚度ε值越大,涡流损耗越大。当电导率γ增大,式右边的大分式的值增大,而右端括号中的值由于电导率γ增大,其值随k1值变大而增大,因而电导率γ增大,联轴器膜片的涡流损耗添加

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